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Si7328DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
I D = 1 8 .9 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
I D = 250 μ A
40
0.0
30
- 0.2
20
- 0.4
- 0.6
- 0.8
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
P(t) = 0.0001
10
P(t) = 0.001
I D(on)
P(t) = 0.01
1
Limited
P(t) = 0.1
P(t) = 1
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 10
DC
BV DSS Limited
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73960
S-81005-Rev. B, 05-May-08
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